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IXFX80N60P3

N-Channel Power MOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=77mΩ(max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·ACMotorDrives ·HighSpeedPowerSwitchingApplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXFX80N60P3

N通道HiPerFET; • 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装\n;

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IXFX80N60P3

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详细参数

  • 型号:

    IXFX80N60P3

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXFX80N60P3供应商 更新时间2025-7-30 8:31:00