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IXGA30N60C3D4	文件：294.25 Kbytes Page：7 Pages	GenX3 600V IGBT With Diode High Speed PT IGBTs for 40-100kHz switching Features ● Optimized for low switching losses ● Square RBSOA ● Anti-parallel ultra fast diode ● International standard packages Advantages ● High power density ● Low gate drive requirement Applications ● High Frequency Power Inverters ● UPS 文件：294.25 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGA30N60C3D4	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 高频 IGBT • 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGP30N60C3D4	文件：294.25 Kbytes Page：7 Pages	GenX3 600V IGBT With Diode High Speed PT IGBTs for 40-100kHz switching Features ● Optimized for low switching losses ● Square RBSOA ● Anti-parallel ultra fast diode ● International standard packages Advantages ● High power density ● Low gate drive requirement Applications ● High Frequency Power Inverters ● UPS 文件：294.25 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGF30N400	文件：0 bytes Page：0 Pages	IXYS ISOPLUS i4-PAC	IXYS 艾赛斯上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	IXYS
IXGH16N170	文件：0 bytes Page：0 Pages	IXYS TO-3P	IXYS 艾赛斯上传：深圳市勤思达科技有限公司	IXYS

技术参数

Collector Current @ 25 ℃ (A)：
60
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)：
3
Fall Time [Inductive Load] (ns)：
47
Configuration：
Copack (FRED)
Package Type：
TO-263U
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)：
0.56
Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)：
0.33
Collector Current @ 110 ℃ (A)：
30
Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)：
2.5

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深圳市艾宇欣科技有限公司	IXGA30N60C3D4	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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