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IXGH56N60A3	文件：183.53 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 600V IGBT Ultra-Low Vsat PT IGBT for up to 5 kHz Switching Features Optimized for Low Conduction Losses International Standard Package Advantages High Power Density Low Gate Drive Requirement Applications Power Inverters UPS Motor Drives SMPS PFC Circuits Battery 文件：183.53 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH56N60A3	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 低频 IGBT	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGH56N60A3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 150A 330W TO247	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH60N60C3D1	文件：0 bytes Page：0 Pages	Module	IXYS 艾赛斯上传：深圳市华睿芯科技有限公司	IXYS
IXGK120N120A3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-264	IXYS 艾赛斯上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGH56N60A3
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.35V @ 15V，44A
开关能量：
1mJ（开），3.75mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/310ns
测试条件：
480V，44A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 150A 330W TO247

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