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IXGH60N60C3D1	文件：243.8 Kbytes Page：7 Pages	GenX3 600V IGBTs with Diode High Speed PT IGBTs for 40-100kHz switching Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • High Avalanche Capability • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • International Standard Packages Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • High Freque 文件：243.8 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH60N60C3D1	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH60N60C3D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 高频IGBT • 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGH60N60C3D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 380W TO247AD	IXYS 艾赛斯	IXYS

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更多IXGH60N60C3D1供应商更新时间2025-10-12 8:12:00