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IXFZ520N075T2 | N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
IXFZ520N075T2 | TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET 文件：205.85 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET 文件：183.94 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International Standard Package • miniBLOC, with Aluminium Nitride Isolation • 175°C Operating Temperature • Isolation Voltage 2500 V~ • High Current Handling Capability • Fast Intrinsic Diode • Ava 文件：180.23 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET 文件：183.94 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
详细参数
- 型号：
IXFZ520N075T2
- 功能描述：
MOSFET TrenchT2 HiperFETs Gate TrenchT2 MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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