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IXGK100N170

IGBT

DESCRIPTION · Low Gate Drive Requirement · High Current Handling Capability · Short Circuit Capability · High Power Density APPLICATIONS · Power Inverters · Motor Drives · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries

文件:288.41 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXGK100N170

High Voltage IGBT

文件:172.67 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGK100N170

NPT 高电压 IGBT

• 国际标准包装\n• MOS栅极开启 - 简化设计\n• 成型环氧树脂达到UL 94V-0可燃性分类要求;

Littelfuse

力特

IXGK100N170

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT PT 1000V 120A TO-264

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGK100N170

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,100A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    35ns/285ns

  • 测试条件:

    850V,100A,1 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    PLUS264™

  • 描述:

    IGBT PT 1000V 120A TO-264

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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更多IXGK100N170供应商 更新时间2026-2-3 15:08:00