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IXGK28N140B3H1	文件：206.55 Kbytes Page：7 Pages	GenX3 1400V IGBTs w/ Diode Features • Optimized for Low Conduction and Switching Losses • Square RBSOA • Avalanche Rated • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • High Current Handling Capability Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • Power Inverters • UPS • Motor Drives • SMPS 文件：206.55 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGK28N140B3H1	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 中频IGBT • 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGK28N140B3H1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-264-3，TO-264AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1400V 60A 300W TO264	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGX28N140B3H1	文件：206.55 Kbytes Page：7 Pages	GenX3 1400V IGBTs w/ Diode Features • Optimized for Low Conduction and Switching Losses • Square RBSOA • Avalanche Rated • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • High Current Handling Capability Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • Power Inverters • UPS • Motor Drives • SMPS 文件：206.55 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGK28N140B3H1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.6V @ 15V，28A
开关能量：
3.6mJ（开），3.9mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
16ns/190ns
测试条件：
960V，28A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264（IXGK）
描述：
IGBT 1400V 60A 300W TO264

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