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IXFN520N075T2	文件：180.23 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International Standard Package • miniBLOC, with Aluminium Nitride Isolation • 175°C Operating Temperature • Isolation Voltage 2500 V~ • High Current Handling Capability • Fast Intrinsic Diode • Ava 文件：180.23 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFN520N075T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅MOSFET • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFX520N075T2	文件：183.94 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET 文件：183.94 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFZ520N075T2	文件：205.85 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET 文件：205.85 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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更多IXFN520N075T2供应商更新时间2026-2-5 14:32:00