| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
89950 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
12300 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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IXYSTO-247 |
6896 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
13888 |
23+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IXYSTO247 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
548 |
23+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
548 |
23+ |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
13888 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IXYSTO-3P |
70819 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IXYSTO-247AD |
242 |
07+/08+ |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
IXGH50N60B采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH50N60B图片
IXGH50N60B价格
IXGH50N60B价格：￥0.0000品牌：IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGH50N60B多少钱，想知道IXGH50N60B价格是多少？参考价：￥0.0000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXGH50N60B批发价格及采购报价，IXGH50N60B销售排行榜及行情走势，IXGH50N60B报价。
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IXGH50N60B中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH50N60B功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH50N60B2功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH50N60B4制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High-Gain IGBTs
IXGH50N60BS功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
产品属性
- 产品编号：
IXGH50N60B
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
HiPerFAST™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，50A
- 开关能量：
3mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/150ns
- 测试条件：
480V，50A，2.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 75A 300W TO247AD
