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IXGH30N60C3C1	文件：294.36 Kbytes Page：7 Pages	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode High Speed PT IGBTs for 40 - 100kHz Switching Features ● Optimized for Low Switching Losses ● Square RBSOA ● Anti-Parallel Schottky Diode ● International Standard Packages Advantages ● High Power Density ● Low Gate Drive Requirement Applications ● High Frequency Power Inverters ● UPS ● 文件：294.36 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH30N60C3C1	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 高频 IGBT • 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGH30N60C3C1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 220W TO247	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGP30N60C3C1	文件：294.36 Kbytes Page：7 Pages	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode High Speed PT IGBTs for 40 - 100kHz Switching Features ● Optimized for Low Switching Losses ● Square RBSOA ● Anti-Parallel Schottky Diode ● International Standard Packages Advantages ● High Power Density ● Low Gate Drive Requirement Applications ● High Frequency Power Inverters ● UPS ● 文件：294.36 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGH30N60C3C1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，20A
开关能量：
120µJ（开），90µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/42ns
测试条件：
300V，20A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 60A 220W TO247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXGH30N60C3C1供应商更新时间2025-10-13 17:22:00

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