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IXGH30N60C3C1	文件：294.36 Kbytes Page：7 Pages	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzSwitching Features ●OptimizedforLowSwitchingLosses ●SquareRBSOA ●Anti-ParallelSchottkyDiode ●InternationalStandardPackages Advantages ●HighPowerDensity ●LowGateDriveRequirement Applications ●HighFrequencyPowerInverters ●UPS ●	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH30N60C3C1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 220W TO247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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产品属性

产品编号：
IXGH30N60C3C1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，20A
开关能量：
120µJ（开），90µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/42ns
测试条件：
300V，20A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 60A 220W TO247

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更多IXGH30N60C3C1供应商更新时间2025-7-23 10:12:00

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