GenX3 1200V IGBT

High speed Low Vsat PT IGBTs 3-20 kHz switching VCES = 1200V IC110 = 30A VCE(sat) ≤£ 3.5V Tfi(typ) = 204ns Features Optimized for low conduction and switching losses Square RBSOA Anti-parallel ultra fast diode International standard packages Applications P

文件：221.58 Kbytes 页数：7 Pages

IXYS

艾赛斯

PT 中频 IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 300W TO247AD

IXYS

艾赛斯

GenX3 1200V IGBT

High speed Low Vsat PT IGBTs 3-20 kHz switching VCES = 1200V IC110 = 30A VCE(sat) ≤£ 3.5V Tfi(typ) = 204ns Features Optimized for low conduction and switching losses Square RBSOA Anti-parallel ultra fast diode International standard packages Applications P

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IXYS

艾赛斯