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IXGH30N120B3D1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGH30N120B3D1
厂商型号

IXGH30N120B3D1

参数属性

IXGH30N120B3D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 300W TO247AD

功能描述

GenX3 1200V IGBT
IGBT 1200V 300W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

文件大小

221.58 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 9:18:00

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IXGH30N120B3D1规格书详情

IXGH30N120B3D1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXGH30N120B3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

High speed Low Vsat PT

IGBTs 3-20 kHz switching

VCES = 1200V

IC110 = 30A

VCE(sat) ≤£ 3.5V

Tfi(typ) = 204ns

Features

Optimized for low conduction and switching losses

Square RBSOA

Anti-parallel ultra fast diode

International standard packages

Applications

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Welding Machines

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGH30N120B3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    3.47mJ(开),2.16mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    16ns/127ns

  • 测试条件:

    960V,30A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 300W TO247AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
22+
TO-247
18000
原装正品
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