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IXGH30N120B3D1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
IXGH30N120B3D1 |
参数属性 | IXGH30N120B3D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 300W TO247AD |
功能描述 | GenX3 1200V IGBT |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
221.58 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | IXYS Corporation |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Corporation官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-29 9:18:00 |
人工找货 | IXGH30N120B3D1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IXGH30N120B3D1规格书详情
IXGH30N120B3D1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXGH30N120B3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
High speed Low Vsat PT
IGBTs 3-20 kHz switching
VCES = 1200V
IC110 = 30A
VCE(sat) ≤£ 3.5V
Tfi(typ) = 204ns
Features
Optimized for low conduction and switching losses
Square RBSOA
Anti-parallel ultra fast diode
International standard packages
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Welding Machines
产品属性
更多- 产品编号:
IXGH30N120B3D1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
GenX3™
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.5V @ 15V,30A
- 开关能量:
3.47mJ(开),2.16mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
16ns/127ns
- 测试条件:
960V,30A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 1200V 300W TO247AD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
60000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
7000 |
询价 | |||
IXYS |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
25 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO247AD (IXGH) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
NA |
3297 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |