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IXGH28N120B分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
IXGH28N120B |
参数属性 | IXGH28N120B 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 50A 250W TO247 |
功能描述 | High Voltage IGBT |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
575.28 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | IXYS Corporation |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Corporation官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-24 22:59:00 |
人工找货 | IXGH28N120B价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IXGH28N120B规格书详情
IXGH28N120B属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXGH28N120B晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
Features
● High Voltage IGBT for resonant power supplies
- Induction heating
- Rice cookers
● International standard packages
JEDEC TO-268 and JEDEC TO-247 AD
● Low switching losses, low V(sat)
● MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Advantages
● High power density
● Suitable for surface mounting
● Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)
产品属性
更多- 产品编号:
IXGH28N120BD1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.5V @ 15V,28A
- 开关能量:
2.2mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
30ns/210ns
- 测试条件:
960V,28A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 1200V 50A 250W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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