High Voltage IGBT

Features ● High Voltage IGBT for resonant power supplies - Induction heating - Rice cookers ● International standard packages JEDEC TO-268 and JEDEC TO-247 AD ● Low switching losses, low V(sat) ● MOS Gate turn-on - drive simplicity Advantages ● High power density ● Suita

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IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT w/ Diode

Features ● International Standard Packages JEDEC TO-247AD & TO-268 ● IGBT and Anti-Parallel FRED for Resonant Power Supplies - Induction Heating - Rice Cookers ● MOS Gate Turn-On ● Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED) - Soft Recovery with Low IRM Advantages ● Saves S

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IXYS

艾赛斯

PT 中频 IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

PT 中频 IGBT

• 高电流处理能力\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 雪崩评级\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

Package：TO-247-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 50A 250W TO247

IXYS

艾赛斯