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IXGH28N120BD1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGH28N120BD1
厂商型号

IXGH28N120BD1

参数属性

IXGH28N120BD1 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 50A 250W TO247

功能描述

High Voltage IGBT w/ Diode
IGBT 1200V 50A 250W TO247

文件大小

203.36 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 14:16:00

IXGH28N120BD1规格书详情

Features

● International Standard Packages

JEDEC TO-247AD & TO-268

● IGBT and Anti-Parallel FRED for Resonant Power Supplies

- Induction Heating

- Rice Cookers

● MOS Gate Turn-On

● Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED)

- Soft Recovery with Low IRM

Advantages

● Saves Space (Two Devices in One Package)

● Easy to Mount with 1 Screw (Isolated Mounting Screw Hole)

● Reduces Assembly Time and Cost

Applications

● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

● Uninterruptible Power Supplies (UPS)

● DC Choppers

● AC Motor Speed Drives

● DC Servo and Robot Drives

IXGH28N120BD1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Corporation制造生产的IXGH28N120BD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGH28N120BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,28A

  • 开关能量:

    2.2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/210ns

  • 测试条件:

    960V,28A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 250W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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