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IXGH35N120B

PT 中频 IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管(可选)\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

IXGH35N120B

HiPerFAST IGBT

Features • International standard packages JEDEC TO-268 and JEDEC TO-247 AD • Low switching losses, low V(sat) • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC choppers • Uninterruptible power supplies (UPS) • Switched-mode and r

文件:57.23 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH35N120B

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 70A 300W TO247

IXYS

艾赛斯

IXGH35N120C

IGBT Lightspeed Series

IGBT Lightspeed Series Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD • Low switching losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC choppers • Uninterruptible power supplies (U

文件:53.74 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGK35N120B

HiPerFAST IGBT

文件:1.85097 Mbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGK35N120C

HiPerFAST IGBT

文件:128.6 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH35N120B

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.3V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    3.8mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    50ns/180ns

  • 测试条件:

    960V,35A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 70A 300W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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IXYS
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更多IXGH35N120B供应商 更新时间2026-2-3 15:30:00