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IXGH48N60C3D1

GenX3 600V IGBT with Diode

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3™insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3™IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

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IXYS Integrated Circuits Division

IXGH48N60C3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXGH48N60C3D1

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 75A 300W TO247AD

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IXGR48N60C3D1

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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产品属性

  • 产品编号:

    IXGH48N60C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    410µJ(开),230µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    19ns/60ns

  • 测试条件:

    400V,30A,3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 300W TO247AD

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更多IXGH48N60C3D1供应商 更新时间2024-5-1 8:20:00