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IXFX200N10P	文件：119.44 Kbytes Page：5 Pages	Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：119.44 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX200N10P	文件：208.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：208.05 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX200N10P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTC200N10T	文件：191.2 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMV Power MOSFET 文件：191.2 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTC200N10T	文件：295.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTF200N10T	文件：166.2 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：166.2 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

详细参数

型号：
IXFX200N10P
功能描述：
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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