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IXFX260N17T

N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options

·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages;

Littelfuse

力特

IXFX260N17T

GigaMOS Power MOSFET

文件:128.35 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFK260N17T

GigaMOS Power MOSFET

文件:128.35 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN260N17T

GigaMOS Power MOSFET

文件:130.47 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXFX260N17T

  • 功能描述:

    MOSFET 260A 170V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
22+
TO2473
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更多IXFX260N17T供应商 更新时间2025-10-5 10:30:00