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IXFX260N17T中文资料N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options数据手册Littelfuse规格书
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特性 Features
·Trench Gate MOSFET Technology
·Break down voltages VDSS: 36V to 300V
·Current ratings ID25: 12A to 660A
·Ultra-low on-state resistance RDS(on)
·Superior avalanche ruggedness
·Junction temperature TJ up to 175°C
·International standard packages
技术参数
- 型号：
IXFX260N17T
- 功能描述：
MOSFET 260A 170V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
13888 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
09+ |
TO-247 |
380 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO247 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO247 |
3620 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
IXYS |
21+ |
TO247 |
1120 |
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2023+ |
TO-247 |
4470 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 |
