isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 64A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 85mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件：390.71 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode

文件：131.93 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 较低的Qg和Qgd\n• 卓越的dV/dt性能\n• 高速开关\n• 快速本征整流器\n• 较低的本征栅极电阻\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特

N-Channel Enhancement Mode

文件：131.93 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

HiperFET Power MOSFETs Q3-Class

文件：132.96 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

Advance Technical Information

文件：147.7 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯