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IXGA7N60C	文件：79.19 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFAST IGBT Lightspeed Series Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-263surface mountableandJEDECTO-220AB •HighfrequencyIGBT •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA7N60C	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 54W TO263	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA7N60CD1	文件：96.23 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-263surface mountableandJEDECTO-220AB •HighfrequencyIGBT •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA7N60CD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 75W TO263	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP7N60B	文件：84.88 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-263surface mountableandJEDECTO-220AB •MediumfrequencyIGBT •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP7N60C	文件：79.19 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBTLightspeedSeries Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-263surface mountableandJEDECTO-220AB •HighfrequencyIGBT •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA7N60P	文件：299.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA7N60P	文件：764.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA7N60PM	文件：117.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Plasticovermoldedtabforelectrical isolation •Internationalstandardpackage •Avanlancherated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings Appli	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP7N60P	文件：764.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGA7N60C
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™, Lightspeed™
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，7A
开关能量：
70µJ（开），120µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
9ns/65ns
测试条件：
480V，7A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AA
描述：
IGBT 600V 14A 54W TO263

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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