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IXFX90N30	文件：125.62 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Applications •DC-DCconverters •Battery	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX90N30	文件：368.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=33mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DAM90N30D	文件：242.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DAM90N30G	文件：245.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
FGA90N30	文件：787.79 Kbytes Page：8 Pages	300VPDPIGBT Description EmployingUnifiedIGBTTechnology,FGA90N30provideslowconductionandswitchingloss.FGA90N30offerstheoptimumsolutionforPDPapplicationswherelowcondutionlossisessential. Features •HighCurrentCapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat),Typ=1.1V@IC=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA90N30D	文件：833.24 Kbytes Page：9 Pages	300VPDPIGBT Description EmployingUnifiedIGBTTechnology,FGA90N30Dprovideslowconductionandswitchingloss.FGA90N30DofferstheoptimumsolutionforPDPapplicationswherelowcondutionlossisessential. Features •HighCurrentCapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat),Typ=1.1V@IC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGFP90N30TU	文件：700.37 Kbytes Page：7 Pages	300V,90APDPIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
IXFX90N30
功能描述：
MOSFET 300V 90A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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