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IXFX90N30中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXFX90N30

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs

文件大小

125.62 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 20:00:00

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IXFX90N30规格书详情

特性 Features

• International standard packages

• Low RDS (on) HDMOSTM process

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic rectifier

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• DC choppers

• AC motor control

• Temperature and lighting controls

Advantages

• PLUS 247TM package for clip or spring mounting

• Space savings

• High power density

产品属性

  • 型号:

    IXFX90N30

  • 功能描述:

    MOSFET 300V 90A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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NA/
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IXYS/艾赛斯
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