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IXFX32N100P	文件：124.23 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX32N100P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET MOSFET; • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感\n;	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
IXFK32N100	文件：329.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK32N100P	文件：124.23 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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