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|---|---|---|---|---|
IXFX360N10T | GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET 文件：188.5 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXFX360N10T | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：381.74 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IXFX360N10T | N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.93 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET 文件：188.5 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
N-Channel MOSFET DESCRIPTION · Drain Current -ID= 360A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.6mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC converter · Battery Chargers · High Speed Power Switching Applications 文件：563.69 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
详细参数
- 型号：
IXFX360N10T
- 功能描述：
MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Littelfuse/IXYS |
24+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS |
25+ |
PLUS247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
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