选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IXYSTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IXYSTO-263 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYSN/A |
11330 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYSN/A |
7062 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IXYS/艾赛斯NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IXYSNA |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46290 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IXYSTO-263(D2PAK |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IXYSTO-263(D |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO263 (IXGA) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-263-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO263 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO263 (IXGA) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IXYSTO-263(D2PAK) |
8866 |
08+(pbfree) |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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IXYS/艾赛斯NA |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
IXGA20N120采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGA20N120图片
IXGA20N120A3价格
IXGA20N120A3价格:¥15.7172品牌:IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGA20N120A3多少钱,想知道IXGA20N120A3价格是多少?参考价:¥15.7172。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXGA20N120A3批发价格及采购报价,IXGA20N120A3销售排行榜及行情走势,IXGA20N120A3报价。
IXGA20N120中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGA20N120功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGA20N120A3功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGA20N120B功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGA20N120B3功能描述:IGBT 模块 GenX3 1200V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号:
IXGA20N120
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,20A
- 开关能量:
6.5mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
28ns/400ns
- 测试条件:
800V,20A,47 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
TO-263AA
- 描述:
IGBT 1200V 40A 150W TO263