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IXGA20N120B3中文资料PDF规格书

IXGA20N120B3
厂商型号

IXGA20N120B3

功能描述

GenX3 1200V IGBT

文件大小

218.53 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-30 19:00:00

IXGA20N120B3规格书详情

High Speed Low Vsat PT IGBTs 3-20 kHz Switching

Features

● Optimized for Low Conduction and Switching Losses

● Square RBSOA

● International Standard Packages

Applications

● Power Inverters

● UPS

● Motor Drives

● SMPS

● PFC Circuits

● Welding Machines

● Inductive Heating

Advantages

● High Power Density

● Low Gate Drive Requirement

产品属性

  • 型号:

    IXGA20N120B3

  • 功能描述:

    IGBT 模块 GenX3 1200V IGBTs

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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