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IXGA12N100分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IXGA12N100

参数属性

IXGA12N100 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1000V 24A 100W TO263AA

功能描述

IGBT
IGBT 1000V 24A 100W TO263AA

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

51.49 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-3 16:10:00

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IXGA12N100规格书详情

IXGA12N100属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXGA12N100晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

• International standard packages

JEDEC TO-220AB and TO-263AA

• Second generation HDMOS™ process

• Low VCE(sat)

- for minimum on-state conduction losses

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGA12N100

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    2.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    100ns/850ns

  • 测试条件:

    800V,12A,120 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AA

  • 描述:

    IGBT 1000V 24A 100W TO263AA

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