GenX3 600V IGBT

High Speed PT IGBTs for 40-100kHz switching Features Optimized for low switching losses Square RBSOA International standard packages

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IXYS

艾赛斯

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXYS

艾赛斯

PT 高频IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

High Speed PT IGBTs for 40 - 100kHz Switching Features ● Optimized for Low Switching Losses ● Square RBSOA ● Anti-Parallel Schottky Diode ● International Standard Packages Advantages ● High Power Density ● Low Gate Drive Requirement Applications ● High Frequency Power Inverters ● UPS ●

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IXYS

艾赛斯

GenX3 600V IGBT With Diode

High Speed PT IGBTs for 40-100kHz switching Features ● Optimized for low switching losses ● Square RBSOA ● Anti-parallel ultra fast diode ● International standard packages Advantages ● High power density ● Low gate drive requirement Applications ● High Frequency Power Inverters ● UPS

文件：294.25 Kbytes 页数：7 Pages

IXYS

艾赛斯

PT 高频IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

PT 高频 IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特