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IXGA30N60C3C1中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXGA30N60C3C1

功能描述

GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

文件大小

294.36 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-16 15:01:00

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IXGA30N60C3C1规格书详情

High Speed PT IGBTs for 40 - 100kHz Switching

特性 Features

● Optimized for Low Switching Losses

● Square RBSOA

● Anti-Parallel Schottky Diode

● International Standard Packages

Advantages

● High Power Density

● Low Gate Drive Requirement

Applications

● High Frequency Power Inverters

● UPS

● Motor Drives

● SMPS

● PFC Circuits

● Battery Chargers

● Welding Machines

● Lamp Ballasts

产品属性

  • 型号:

    IXGA30N60C3C1

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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