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IXFX64N50P	文件：371.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 64A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 85mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：371.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFX64N50P	文件：146.39 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET 文件：146.39 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX64N50P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET MOSFET • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFK64N50	文件：328.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 64A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 85mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：328.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFK64N50P	文件：328.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 64A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 85mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：328.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFK64N50P	文件：146.39 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET 文件：146.39 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.085
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
64
Gate Charge (nC)：
150
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.15
Configuration：
Single
Package Type：
TO-247 PLUS
Power Dissipation (W)：
830
Maximum Reverse Recovery (ns)：
200
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXFX64N50P供应商更新时间2025-10-13 17:22:00

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