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IXFX48N60Q3

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 140mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · PFC Circuits · AC and DC Motor Drives

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ISC

无锡固电

IXFX48N60Q3

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IXYS

艾赛斯

IXFX48N60Q3

N通道HiPerFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 较低的Qg和Qgd\n• 卓越的dV/dt性能\n• 高速开关\n• 快速本征整流器\n• 较低的本征栅极电阻\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特

IXFK48N60Q3

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 140mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · PFC Circuits · AC and DC Motor Drives

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ISC

无锡固电

IXFK48N60Q3

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IXYS

艾赛斯

IXFR48N60Q3

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IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXFX48N60Q3

  • 功能描述:

    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXFX48N60Q3供应商 更新时间2025-12-10 14:17:00