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IXFX26N90	文件：118.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Appl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX26N90	文件：367.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
26N90	文件：118.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Appl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK26N90	文件：118.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Appl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK26N90	文件：329.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFN26N90	文件：141.35 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowtrrFastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackage ●miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(ON)HDMOSTMprocess ●AvalancheRated ●Lowpackageinductance ●Fastintrinsicdiode Advantages ●Lowgate	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN26N90	文件：122.25 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowtrrFastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackage ●miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(ON)HDMOSTMprocess ●AvalancheRated ●Lowpackageinductance ●Fastintrinsicdiode Advantages ●Lowgate	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN-26N90	文件：144.36 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETsSingleDieMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

详细参数

型号：
IXFX26N90
功能描述：
MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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