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IXFX32N80P

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 270mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switching · DC-DC Converters · AC and DC Motor Drives

文件:361.53 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

IXFX32N80P

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

文件:167.41 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFX32N80P

N通道HiPerFET MOSFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

CCP-32N80-D

Low PIM DC?? GHz

文件:408.72 Kbytes 页数:6 Pages

WILLOW

CCP-32N80-M

Low PIM DC?? GHz

文件:408.72 Kbytes 页数:6 Pages

WILLOW

CCP-32N80-R

Low PIM DC?? GHz

文件:408.72 Kbytes 页数:6 Pages

WILLOW

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    0.27

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    32

  • Gate Charge (nC):

    150

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    0.15

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-247 PLUS

  • Power Dissipation (W):

    830

  • Maximum Reverse Recovery (ns):

    250

  • Sample Request:

    No

  • Check Stock:

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247 PLUS
32189
原装正品 华强现货
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IXYS
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更多IXFX32N80P供应商 更新时间2025-12-8 8:31:00