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IXFX210N17T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options ·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFX210N17T	文件：129.419 Kbytes Page：5 Pages	GigaMOS Power MOSFET 文件：129.419 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
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IXFX32N50	文件：0 bytes Page：0 Pages	IXYS TO-247	IXYS 艾赛斯上传：深圳市凌旭科技有限公司	IXYS
IXGA20N250HV-TRL	文件：0 bytes Page：0 Pages	IXYS/LITTELFUSE TO-263	IXYS/LITTELFUSE 上传：深圳市斌腾达科技有限公司	IXYS/LITTELFUSE

详细参数

型号：
IXFX210N17T
功能描述：
MOSFET 210A 170V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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