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IXFX20N120P	文件：122.12 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA20N120	文件：78.17 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switch-modeand	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH20N120	文件：120.07 Kbytes Page：2 Pages	IGBT VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=2.5V tfi(typ)=380ns Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-247andTO-268 •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoan	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH20N120B	文件：574.24 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBT VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=3.4V tfi(typ)=160ns Features •HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers •Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceand JEDECTO-247AD •Lowswitchinglosses,	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N120	文件：78.17 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switch-modeand	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP20N120B	文件：586.46 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBTwithDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGQ20N120B	文件：598.7 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageIGBTwithDiode Features ●Internationalstandardpackage ●IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages ●Savesspace(two	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT20N120	文件：120.07 Kbytes Page：2 Pages	IGBT VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=2.5V tfi(typ)=380ns Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-247andTO-268 •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoan	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT20N120B	文件：574.24 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBT VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=3.4V tfi(typ)=160ns Features •HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers •Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceand JEDECTO-247AD •Lowswitchinglosses,	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MGW20N120	文件：231.25 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
IXFX20N120P
功能描述：
MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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