IGBT

VCES = 1200 V IC25 = 40 A VCE(sat) = 2.5 V tfi(typ) = 380 ns Features • International standard packages JEDEC TO-247 and TO-268 • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo an

文件：120.07 Kbytes 页数：2 Pages

IXYS

艾赛斯

PT IGBTs

·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;

Littelfuse

力特

Package：TO-247-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 40A 150W TO247

IXYS

艾赛斯

GenX3 1200V IGBTs

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3 kHz Switching VCES= 1200V IC110 = 20A VCE(sat) ≤2.5V Features Optimized for Low Conduction Losses International Standard Packages Advantages High Power Density Low Gate Drive Requirement Applications Power Inverters UP

文件：241.79 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT

VCES = 1200 V IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V tfi(typ) = 160 ns Features • High Voltage IGBT for resonant power supplies - Induction heating - Rice cookers • International standard packages JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD • Low switching losses,

文件：574.24 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT with Diode

文件：495.03 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

PT 中频 IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

PT 低频 IGBT

Littelfuse

力特

Package：TO-247-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 40A 190W TO247

IXYS

艾赛斯

Package：TO-247-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 40A 190W TO247

IXYS

艾赛斯