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IXGH20N120B数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXGH20N120B规格书详情
特性 Features
• 高电流处理能力
• 国际标准包装
• 针对低导通和开关损耗进行了优化
• 超快反并联二极管(可选)
• 雪崩评级
• 方形RBSOA
• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择
• MOS栅极开启简单便捷
• 高频IGBT
应用 Application
• 电源逆变器
• UPS
• 电机驱动器
• SMPS
• PFC电路
• 电池充电器
• 焊接机
• 灯镇流器
• 突入电流保护电路
• 直流斩波器
• 感应加热
• 太阳能系统逆变器
• 功率因数校正电路
• 不间断电源设备
• 开关模式电源
• 电机控制(ACAC/DC电机)
• 电容放电开关
技术参数
- 制造商编号
:IXGH20N120B
- 生产厂家
:Littelfuse
- Collector Current @ 25 ℃ (A)
:40
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
:3.4
- Fall Time [Inductive Load] (ns)
:160
- Configuration
:Single
- Package Type
:TO-247
- Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)
:0.65
- Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)
:3.5
- Collector Current @ 110 ℃ (A)
:20
- Replaced By Part Number
:IXYH40N120B3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-247 |
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IXYS |
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TO-247 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS |
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IXYS |
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