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IXFN360N10T	文件：181.33 Kbytes Page：6 Pages	GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK360N10T	文件：295.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK360N10T	文件：188.5 Kbytes Page：6 Pages	GigaMOSTrenchHiperFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX360N10T	文件：381.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX360N10T	文件：188.5 Kbytes Page：6 Pages	GigaMOSTrenchHiperFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IXFN360N10T
功能描述：
MOSFET 360 Amps 100V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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