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IXFN360N10T | N-Channel MOSFET DESCRIPTION · Drain Current -ID= 360A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.6mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC converter · Battery Chargers · High Speed Power Switching Applications 文件：563.69 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IXFN360N10T | GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET 文件：181.33 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXFN360N10T | N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：381.74 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET 文件：188.5 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
详细参数
- 型号：
IXFN360N10T
- 功能描述：
MOSFET 360 Amps 100V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
226 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2408+ |
SOT-227 |
3668 |
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IXYS |
2016+ |
SOT-227 |
2500 |
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询价 | ||
IXYS |
24+ |
NA |
3465 |
进口原装正品优势供应 |
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IXYS |
25+23+ |
SOT-227 |
52240 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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IXYS |
18+ |
SOT-227 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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IXYS |
19+ |
SOT-227 |
8650 |
原装正品,现货热卖 |
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IXYS |
1931+ |
N/A |
794 |
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IXYS |
25+ |
SOT-227 |
326 |
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原装 |
1923+ |
SOT-227 |
8900 |
公司库存原装低价格欢迎实单议价 |
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