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IXFN50N80Q2	文件：126.49 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class HiPerFET™ Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RG High dV/dt, Low trr Features • International Standard Package • miniBLOC, with Aluminium Nitride Isolation • Isolation Voltage 2500 V~ • High Current Handling Capability • Fast Intrinsic R 文件：126.49 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFN50N80Q2	文件：572.1 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 50A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 160mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor Drive, DC-DC Converter, Power Switch and Solenoid Drive. 文件：572.1 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFN50N80Q2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 双金属工艺带来较低的栅极电阻\n• 雪崩能量和电流额定值\n• 快速本征整流器\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFB50N80Q2	文件：228.72 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class 文件：228.72 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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