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IXFN360N10T中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXFN360N10T

功能描述

N-Channel MOSFET

文件大小

563.69 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 8:50:00

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IXFN360N10T规格书详情

DESCRIPTION

· Drain Current -ID= 360A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage

-VDSS= 100V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 2.6mΩ(Max)@VGS= 10V

APPLICATIONS

· DC-DC converter

· Battery Chargers

· High Speed Power Switching Applications

产品属性

  • 型号:

    IXFN360N10T

  • 功能描述:

    MOSFET 360 Amps 100V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
23+
SOT-227
7000
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