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IXFN360N10T_IXYS/艾赛斯_MOSFET 360 Amps 100V京海四部

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号：

    IXFN360N10T

  • 产品分类：

    IC芯片

  • 生产厂商：

    IXYS/艾赛斯

  • 库存数量：

    10000

  • 产品封装：

    SOT227

  • 生产批号：

    21+

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2025-10-18 10:10:00

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原厂料号：IXFN360N10T品牌：IXYS/艾赛斯

原装现货假一罚十

  • 芯片型号：

    IXFN360N10T

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    IXYS【艾赛斯】详情

  • 厂商全称：

    IXYS Corporation

  • 内容页数：

    6 页

  • 文件大小：

    181.33 kb

  • 资料说明：

    GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    IXFN360N10T

  • 功能描述：

    MOSFET 360 Amps 100V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商

  • 企业：

    京海半导体(深圳)有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    李先生★★原厂授权一级分销★★

  • 手机：

    18948176968

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    深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海大厦C栋706

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