Polar HiPerFET Power MOSFET

Polar™ HiPerFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features ● International Standard Packages ● Dynamic dv/dt Rating ● Avalanche Rated ● Fast Intrinsic Diode ● Low QG ● Low RDS(on) ● Low Drain-to-Tab Capacitance ● Low Package Inductance Advant

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IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

文件：185.65 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and High power density

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ISC

无锡固电

High Voltage Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

High Voltage Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯