Polar3 HiperFET Power MOSFETs

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IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier

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IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.39Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

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ISC

无锡固电

Polar3 HiperFET Power MOSFETs

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IXYS

艾赛斯