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IXFR36N50P

N通道HiPerFET MOSFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

IXFR36N50P

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

文件:254.15 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFT36N50P

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

文件:343.73 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFV36N50P

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

文件:343.73 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFV36N50PS

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    0.19

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    19

  • Gate Charge (nC):

    93

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    0.75

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-247I

  • Power Dissipation (W):

    156

  • Maximum Reverse Recovery (ns):

    200

  • Sample Request:

    No

  • Check Stock:

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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TO-247I
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更多IXFR36N50P供应商 更新时间2026-1-30 8:31:00