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IXFX120N30T	文件：144.79 Kbytes Page：5 Pages	GigaMOS Power MOSFET GigaMOS™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackages •HighCurrentHandlingCapability •FastIntrinsicDiode •AvalancheRated •LowRDS(on) Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
FGA120N30D	文件：746.24 Kbytes Page：9 Pages	300VPDPIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF120N30	文件：885.31 Kbytes Page：7 Pages	300V,120APDPIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXFH120N30	文件：367.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK120N30T	文件：144.79 Kbytes Page：5 Pages	GigaMOSPowerMOSFET GigaMOS™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackages •HighCurrentHandlingCapability •FastIntrinsicDiode •AvalancheRated •LowRDS(on) Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX120N30	文件：327.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=27mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive ·ACMotorDrives ·BatteryCharges	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RM120N30DF	文件：227.33 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

详细参数

型号：
IXFX120N30T
功能描述：
MOSFET 120V 300V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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