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IXFX160N30T	文件：360.8 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 160A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 300V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 19mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · PFC Circuits · AC and DC Motor Drives 文件：360.8 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFX160N30T	文件：143.71 Kbytes Page：5 Pages	GigaMOS Power MOSFET 文件：143.71 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX160N30T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFK160N30T	文件：143.71 Kbytes Page：5 Pages	GigaMOS Power MOSFET 文件：143.71 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFK160N30T	文件：278.31 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 160A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 300V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 19mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · PFC Circuits · AC and DC Motor Drives 文件：278.31 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFN160N30T	文件：148.46 Kbytes Page：5 Pages	GigaMOS Power MOSFET 文件：148.46 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

更多IXFX160N30T供应商更新时间2025-10-5 16:12:00