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IXFX160N30T

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=160A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·PFCCircuits ·ACandDCMotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXFX160N30T

GigaMOS Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFK160N30T

GigaMOSPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFK160N30T

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=160A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·PFCCircuits ·ACandDCMotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXFN160N30T

GigaMOSPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

详细参数

  • 型号:

    IXFX160N30T

  • 功能描述:

    MOSFET 160A 300V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Littelfuse/IXYS
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更多IXFX160N30T供应商 更新时间2025-7-24 10:22:00