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IXFN160N30T

N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET

• 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;

Littelfuse

力特

IXFN160N30T

GigaMOS Power MOSFET

文件:148.46 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFX160N30T

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 160A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 300V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 19mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · PFC Circuits · AC and DC Motor Drives

文件:360.8 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

IXFX160N30T

GigaMOS Power MOSFET

文件:143.71 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXFN160N30T

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
19+/20+
SOT-227B
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IXYS
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IXYS
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SOT2274 miniBLOC
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IXYS/艾赛斯
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SOT-227B
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IXYS
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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IXYS/艾赛斯
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module
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更多IXFN160N30T供应商 更新时间2025-12-2 13:02:00