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IXFT50N30Q3

N通道HiPerFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 较低的Qg和Qgd\n• 卓越的dV/dt性能\n• 高速开关\n• 快速本征整流器\n• 较低的本征栅极电阻\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特

IXFT50N30Q3

HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

文件:139.76 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFH50N30Q3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 80mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

文件:372.97 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXFH50N30Q3

HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

文件:139.76 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXFT50N30Q3

  • 功能描述:

    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXFT50N30Q3供应商 更新时间2026-1-30 14:16:00